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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
11.4
17.4
写入速度,GB/s
7.4
14.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3393
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
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