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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
24
读取速度,GB/s
11.4
18.9
写入速度,GB/s
7.4
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3870
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
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