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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
39
读取速度,GB/s
11.4
14.5
写入速度,GB/s
7.4
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3269
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
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