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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
11.4
18.2
写入速度,GB/s
7.4
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2947
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
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