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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
差异
规格
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差异
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
11.4
17.8
写入速度,GB/s
7.4
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3539
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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