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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
11.4
20.6
写入速度,GB/s
7.4
17.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3936
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
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Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Elpida KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
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