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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
45
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
45
读取速度,GB/s
11.4
13.2
写入速度,GB/s
7.4
12.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2841
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
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