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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
11.4
15.0
写入速度,GB/s
7.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3098
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
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