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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
11.4
18.7
写入速度,GB/s
7.4
15.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3712
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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