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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
11.4
14.1
写入速度,GB/s
7.4
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2646
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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