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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

总分
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

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Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 37
    左右 -32% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 11.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.7 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    7.4 left arrow 13.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1683 left arrow 3389

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较

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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
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内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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内存RAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Avexir Technologies Corporation T 4GB
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内存RAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
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