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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
58
左右 36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.4
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
58
读取速度,GB/s
11.4
13.8
写入速度,GB/s
7.4
6.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1740
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
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