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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
11.4
15.7
写入速度,GB/s
7.4
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2817
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
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