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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
11.4
19.5
写入速度,GB/s
7.4
14.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3396
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
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