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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
55
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
55
读取速度,GB/s
11.4
15.1
写入速度,GB/s
7.4
14.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2665
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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