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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB

总分
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

总分
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 37
    左右 -23% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.1 left arrow 11.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.4 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 16.1
  • 写入速度，GB/s
    7.4 left arrow 10.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1683 left arrow 2479

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较

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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
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内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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内存RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston 9965640-015.A00G 32GB
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内存RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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