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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
差异
规格
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
11.4
15.3
写入速度,GB/s
7.4
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2539
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
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