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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
差异
规格
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
11.4
16.8
写入速度,GB/s
7.4
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2683
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
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