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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
69
左右 46% 更低的延时
需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
69
读取速度,GB/s
11.4
15.7
写入速度,GB/s
7.4
7.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1831
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB RAM的比较
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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