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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
11.4
17.8
写入速度,GB/s
7.4
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3208
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
King Tiger Technology Tigo-1600Mhz-8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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