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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
11.4
15.6
写入速度,GB/s
7.4
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2562
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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