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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
54
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
54
读取速度,GB/s
11.4
17.5
写入速度,GB/s
7.4
9.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2264
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 99U5471-049.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
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