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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
11.4
19.5
写入速度,GB/s
7.4
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3635
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
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