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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
11.4
17.1
写入速度,GB/s
7.4
13.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3082
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
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