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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
11.4
18.5
写入速度,GB/s
7.4
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3061
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
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