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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
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更快的读取速度,GB/s
13.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
37
读取速度,GB/s
11.4
13.6
写入速度,GB/s
7.4
11.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3001
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
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