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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
25
读取速度,GB/s
11.4
20.1
写入速度,GB/s
7.4
18.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
4174
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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