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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
37
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
20
读取速度,GB/s
11.4
20.1
写入速度,GB/s
7.4
19.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
4215
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
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Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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