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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
53
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
53
读取速度,GB/s
11.4
16.5
写入速度,GB/s
7.4
9.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2301
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
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