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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
50
左右 26% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.4
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
50
读取速度,GB/s
11.4
13.4
写入速度,GB/s
7.4
7.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1976
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
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