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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
11.4
18.7
写入速度,GB/s
7.4
16.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3937
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
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