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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
34
读取速度,GB/s
11.4
16.0
写入速度,GB/s
7.4
11.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2917
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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