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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
11.4
13.9
写入速度,GB/s
7.4
10.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2400
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
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Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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