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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
11.4
14.8
写入速度,GB/s
7.4
10.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2173
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
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