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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
34
读取速度,GB/s
11.4
15.6
写入速度,GB/s
7.4
11.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2812
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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