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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
37
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
22
读取速度,GB/s
11.4
18.1
写入速度,GB/s
7.4
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3254
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
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