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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
24
读取速度,GB/s
11.4
20.1
写入速度,GB/s
7.4
16.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3778
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT84GL7AMR4C-RD 32GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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