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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
45
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
45
读取速度,GB/s
11.4
15.6
写入速度,GB/s
7.4
12.8
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2925
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
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