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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

总分
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

总分
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Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB 需要考虑的原因
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 37
    左右 -68% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.2 left arrow 11.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.8 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 17.2
  • 写入速度，GB/s
    7.4 left arrow 13.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1683 left arrow 2989

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较

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Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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