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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
59
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.4
9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.6
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
59
读取速度,GB/s
11.4
9.0
写入速度,GB/s
7.4
7.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2128
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO 5641160 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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