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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
11.4
16.6
写入速度,GB/s
7.4
12.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2712
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
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