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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
11.4
14.8
写入速度,GB/s
7.4
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2564
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
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