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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
37
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
22
读取速度,GB/s
11.4
16.9
写入速度,GB/s
7.4
12.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2708
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
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Kingston 9905713-028.A00G 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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