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Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
39
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
39
读取速度,GB/s
14.5
14.3
写入速度,GB/s
9.2
10.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
2159
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
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