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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
43
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
39
读取速度,GB/s
14.9
15.7
写入速度,GB/s
9.6
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2958
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
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