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Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
比较
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
总分
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
36
左右 -112% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
17
读取速度,GB/s
15.1
22.0
写入速度,GB/s
9.6
16.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2467
3704
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
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