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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905703-009.A00G 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
16.1
17.6
写入速度,GB/s
10.1
14.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2915
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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