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Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
4,680.7
15.7
写入速度,GB/s
1,361.1
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
3226
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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