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Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.9
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
4,680.7
13.7
写入速度,GB/s
1,361.1
6.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
2312
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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