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Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Corsair VS1GB800D2 1GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

总分
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Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

总分
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Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair VS1GB800D2 1GB 需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    47 left arrow 64
    左右 27% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 17.5
    测试中的平均数值
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB 需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.3 left arrow 1,361.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 64
  • 读取速度，GB/s
    4,680.7 left arrow 17.5
  • 写入速度，GB/s
    1,361.1 left arrow 9.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    460 left arrow 2205

Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较

Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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